几十年来，VSD 一直使用 IGBT 作为其主要电源开关。这些传统的硅晶体管坚固耐用且具有成本效益，但开关速度较慢且损耗相对较高，因此还有改进的空间。对于许多消费类应用（尤其是那些预计在室内使用的应用），需要高于 16kHz 的开关频率来降低可听噪声。这些较高的频率对 IGBT 来说是一个挑战，因为它们的反向恢复特性较慢，导致开关损耗较高。硅 MOSFET 也用于 VSD，但实现的功率密度低于 IGBT，尽管在满载条件下开关损耗可能较低。MOSFET 的内部体二极管恢复损耗也可能非常差，这会增加总损耗。即使是专门设计的带有快速恢复二极管的 MOSFET 通常也比 IGBT 产品中的快速恢复二极管更慢、更灵敏。在轻载操作中，由于 MOSFET 具有线性的电流电压关系，因此它们确实比 IGBT 更具优势。
几十年来，VSD 一直使用 IGBT 作为其主要电源开关。这些传统的硅晶体管坚固耐用且具有成本效益，但开关速度较慢且损耗相对较高，因此还有改进的空间。对于许多消费类应用（尤其是那些预计在室内使用的应用），需要高于 16kHz 的开关频率来降低可听噪声。这些较高的频率对 IGBT 来说是一个挑战，因为它们的反向恢复特性较慢，导致开关损耗较高。硅 MOSFET 也用于 VSD，但实现的功率密度低于 IGBT，尽管在满载条件下开关损耗可能较低。MOSFET 的内部体二极管恢复损耗也可能非常差，这会增加总损耗。即使是专门设计的带有快速恢复二极管的 MOSFET 通常也比 IGBT 产品中的快速恢复二极管更慢、更灵敏。在轻载操作中，由于 MOSFET 具有线性的电流电压关系，因此它们确实比 IGBT 更具优势。
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